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Onsemi安森美EliteSiC系列二極管、MOSFET及模塊的工業應用

發布時間：2025-10-29 14:02:49 瀏覽：28

　　安森美(onsemi)的EliteSiC系列是專為工業和能源應用設計的碳化硅(SiC)功率半導體產品組合，涵蓋二極管、MOSFET、混合模塊和全SiC模塊。該系列憑借高效率、高功率密度、低損耗及高溫穩定性，廣泛應用于光伏逆變器、電動汽車充電、工業電機驅動、儲能系統等領域，助力客戶優化系統性能并降低總體成本。

　　1、 EliteSiC Diodes(碳化硅二極管)

　　關鍵參數

　　電壓等級：650V / 1200V / 1700V

　　封裝類型：DPAK-3 / TO-252-LD / TO-247-3L等

　　工作溫度：最高175°C(TJMAX)

　　主要特點

　　無反向恢復(QRR)——降低開關損耗，提高效率

　　低正向壓降(VF)——減少傳導損耗

　　溫度無關的開關特性——確保高溫下穩定運行

　　高浪涌和雪崩能力——增強系統可靠性

　　典型應用

　　太陽能逆變器(PV)

　　不間斷電源(UPS)

　　工業電源

　　2、 EliteSiC MOSFETs(碳化硅場效應晶體管)

　　關鍵參數

　　電壓等級：650V / 900V / 1200V / 1700V

　　封裝類型：D2PAK-7(TO-263-7L HV)等

　　主要特點

　　超低柵極電荷(Qg)——減少驅動損耗

　　低有效輸出電容(Coss)——提升開關速度

　　 100% UIL測試——確保器件一致性

　　175°C高溫運行能力——適應嚴苛環境

　　典型應用

　　電動汽車(EV)充電樁

　　服務器電源(PSU)

　　電機驅動

　　3、 EliteSiC Hybrid Modules(混合模塊)

　　關鍵參數

　　電壓等級：650V / 1000V / 1200V / 1700V

　　模塊類型：

　　T型NPC逆變器(Split NPC)

　　I型NPC(1000V, 350A/450A IGBT + 1200V, 100A SiC Diode)

　　3通道Boost(1000V, 150A IGBT)

　　主要特點

　 SiC二極管 + 快速開關IGBT——優化系統效率

　　低熱阻基板——增強散熱能力

　　引腳兼容設計——便于升級替換

　　典型應用

　　工業變頻器

　　風電變流器

　　4、EliteSiC Full Modules(全SiC模塊)

　　關鍵參數

　　電壓等級：900V / 1200V

　　模塊類型：

　　Q0 / Q1 Boost模塊

　　F1 / F2模塊(集成電容，降低電壓震蕩)

　　主要特點

　　比溝槽MOSFET更低熱阻——提高散熱效率

　　負柵極電壓驅動——簡化控制設計

　　標準化引腳布局——兼容不同RDS(on)需求

　　典型應用

　　儲能系統(ESS)

　　軌道交通牽引系統

深圳市立維創展科技有限公司優勢提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC電源轉換器模塊及碳化硅(SiC)產品，歡迎咨詢了解。

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